в смузі частот від 10 МГц до 13,5 ГГц - САЦ Р2М - 40.
Нижче наведені частотні залежності електричних характеристик для двох тестових зразків спрямованого моста, у відповідність до яких будуть приводитися характеристики розробляється моделі (рис. 2.2 - 2.7).
Малюнок 2.2 - Частотні залежності коефіцієнтів відбиття першого порту експериментальних зразків
Малюнок 2.3 - Частотні залежності коефіцієнтів відбиття другого порту експериментальних зразків
Малюнок 2.4 - Частотні залежності коефіцієнтів відбиття третього порту експериментальних зразків
Рисунок 2.5 - Частотні залежності коефіцієнтів відгалуження експериментальних зразків
Малюнок 2.6 - Частотні залежності коефіцієнтів передачі експериментальних зразків
Малюнок 2.7 - Частотні залежності розв'язки експериментальних зразків
Малюнок 2.8 - Частотні залежності спрямованості експериментальних зразків
Виходячи з наведених вище електричних параметрів експериментальних зразків, у процесі моделювання необхідно отримати частотні залежності характеристик, які повинні мати наступну нерівномірність: для коефіцієнта відгалуження - мінус 3 дБ, для коефіцієнта передачі - мінус 2,5 дБ. Частотні залежності коефіцієнтів відбиття портів у всій смузі частот повинні бути нижче рівня в мінус 15 дБ. Частотна залежність спрямованості у всій смузі частот повинна бути не нижче рівня в 20 дБ.
Порівняльні графіки частотних залежностей (рис. 2.9 - 2.13) у смузі частот від 300 кГц до 100 МГц наведені нижче.
Малюнок 2.9 - Частотні залежності коефіцієнтів відбиття першого експериментального зразка
Малюнок 2.10 - Частотні залежності коефіцієнтів відбиття другого експериментального зразка
Малюнок 2.11 - Частотні залежності коефіцієнтів передачі
Малюнок 2.12 - Частотні залежності коефіцієнтів відгалуження
Малюнок 2.13 - Частотні залежності розв'язки
Отримані частотні залежності задовольняють вимогам ТЗ тільки на частотах понад 1 МГц.
2.2 Моделювання роздільник на основі еквівалентних схем елементів
Для наближення електричних характеристик моделі спрямованого моста до електричних характеристик тестового зразка було вирішено ввести в неї еквівалентні схеми елементів, що використовуються в конструкції моста. Основними елементами є чіп-резистори (рис. 2.14) двох типорозмірів (0402 і 0603).
На основі конструкції використовуваних чіп-резисторів була складена еквівалентна схема, що враховує їх паразитні параметри (рис. 2.15). [7]
Малюнок 2.14 - Габаритні розміри чип-резистора
Малюнок 2.15 - Еквівалентна схема резистора з урахуванням паразитних параметрів
Нижче наведені вирази для визначення паразитних параметрів резисторів у відповідності зі схемою на малюнку рис. 2.15.
, (2.1)
де Lr - довжина резистивного шару;
wr - ширина резистивного шару.
, (2.2)
де - діелектрична проникність матеріалу підкладки плати;
- ефективна ширина;
- товщина плати підкладки.
, (2.3)
де - діелектрична проникність матеріалу підкладки резистора;
w - ширина рези...
