руктур наведено на рис. 7.7, де показані первісна структура з періодом а, структура з періодом 2а, що виникає за рахунок вакансій в кожному другому вузлі, і структура з тим же періодом 2а, що виникає за рахунок сдваивания прилеглих атомів. Структури бів складаються з атомів, які мають вельми різні положення, а результатом є одні й ті ж картини ДЕНЕ.
В
Малюнок 5. Атомні ряди з періодичністю: а - а, б - 2а і в - 2а. У випадках б і в виникає одна і та ж картина ДЕНЕ для максимумів порядку 1/2 при різних розташуваннях самих атомів; 1 - напрям падаючого пучка. br/>
Хоча визначення положень атомів за допомогою дифракції електронів низьких енергій не є однозначним, можна передбачити симетрію дифракційного зображення, виходячи з розташування атомів в реальному просторі. На рис. 6 показані приклади зовнішніх шарів на поверхні (100) кубічного кристала. Буква р на рис. 6 вказує, що елементарна комірка є примітивною, а картина дифракції електронів низьких енергій для р (2х2) має додаткові плями напівцілого порядку. Буква с на рис. 6 вказує, що елементарна комірка має додатковий рассєїватель в центрі, дає плями 1/2, 1/2 на дифракційної картині. br/>В
Малюнок 6. Верхні шари поверхні (100) кубічного кристала (а) в реальному просторі і відповідні їм картини ДЕНЕ в просторі зворотних векторів (б). br/>
Загалом, зміни періодичності поверхні призводять до змін дифракційної картини, які можуть легко спостерігатися і інтерпретуватися в термінах нової двовимірної симетрії. Такі зміни часто спостерігаються, наприклад, при адсорбції газів на кристалічних поверхнях. Атоми газу часто розташовуються впорядкованим чином з періодичністю, які виходять множенням періодичності підкладки на цілі числа. Стандартним позначенням для таких структур є M (hkl) - (nxm)-C, де М - хімічний символ елементу, поверхня якого розглядається; (hkl) означає кристалічну площину, паралельну поверхні; (пxт) показує, що нова поверхнева структура має періодичність, яка в n разів перевищує первісну періодичність поверхні в напрямку а і в т разів - у напрямку b. Нарешті, С є хімічним символом адсорбованого газу або іншого забруднення поверхні. Часто перед (nxт) ставиться літера: наприклад, р означає, що нова елементарна комірка є примітивною, або з, яка позначає центровану клітинку. Символ р часто опускають для стислості. Якщо нова елементарна осередок повернута відносно підкладки, то вказується кут взаємної орієнтації. Прикладами таких позначень є Ni (111) (2x2) -0, Pt (100)-C (2x2)-C 2 H 5 , W (110)-C (9x5)-СО і Si (111) - (7 X 7).
В
Малюнок 7. Картини ДЕНЕ на Si (100) для чистої поверхні (а) і поверхні, покритої воднем (б). br/>
У першому випадк...
