5000 Похибка коефіцієнта форми g Кф0, 0009 0,001 Похибка відтворення величини r S резистивної плівки gr s0, 03Температурная похибка g Rt 0,018 Похибка, обумовлена ​​старінням плівки g Rст0, 03Погрешность перехідних опорів контактів g Rк 0,02 Повна відносна похибка g R0, 1 0,1 Коефіцієнт формиКф0, 98 2,6 Довжина резистора, мкм.l 220140 Ширина резистора, мкм.b 220360 Площа, яку займає резистором, мм2S 0,04840,0525
4. РОЗРОБКА ТОПОЛОГІЇ КРИСТАЛА
Для розробки топології кристала необхідно враховувати наступне:
повинна бути обрана оптимальна конфігурація розміщення областей;
кожна область повинна займати якомога меншу площу;
якщо в результаті розробки топології залишилися вільні ділянки площі (обсяги), вони можуть бути використані для збільшення найбільш критичних розмірів областей.
Виходячи з вищенаведених положень, розробляється топологія кристала, тобто найбільш оптимальне розміщення в його обсязі областей магнітодіода.
1 - область p + провідності, легована бором;
- область n + провідності, легована фосфором;
і 4 - окисел SiO2;
- металізація (наноситься сплав Al-Si);
- плівка хрому;
- плівка міді;
- плівка олово-вісмут;
- припій ПОС 61. br/>
5. СКЛАДАННЯ СХЕМИ ЕЛЕКТРИЧНОЇ ПРИНЦИПОВОЇ
При складанні схеми електричної принципової необхідно враховувати, що через магнітодіод повинен протікати струм 0,15 мА, а робоча напруга дорівнює 4 В. Наведемо наступну принципову схему датчика для реєстрації переміщень:
Магнітне поле змінює опір магнітодіода і, отже, вхідний струм транзистора, що призводить до зміни падіння напруги на резисторі R2, з якого знімається вихідна напруга. При мінімальному значенні магнітної індукції 0,07 Тл, коли магнітодіод знаходиться на відстані 1 мм від точки з максимальною магнітною індукцією 0.137 Тл, транзистор буде закрито. При зменшенні цієї відстані магнітне поле збільшується і транзистор відкривається. br/>
6. РОЗРОБКА ТЕХНОЛОГІЇ ВИГОТОВЛЕННЯ чутливих елементів
