ертів з трьох осіб, які повинні реалізувати проект за 97 робочих днів.
Вартість реалізації проекту складе 707 562 рубль.
Економічна доцільність реалізації даного проекту доведена, так як розробка необхідна при проектуванні фоточутливих приладів із зарядним зв'язком зі зворотним засвіченням в ВАТ НВП Пульсар.
Використана література
1. Прес Ф.П. Фоточутливі прилади із зарядним зв'язком. М .: Радіо і зв'язок, 1991. 264 с.
. Є. В. Костюков, А. М. Маклаков, А. С. Скрилева, В. В. Чорношкірий. Стан і рівень розвитку фоточутливих приладів із зарядним зв'язком. Електронна техніка. Серія 2. Напівпровідникові прилади, 2007, вип. 2 (219), с. 3-20.
. Jan T. Bosiers, Inge M. Peters, Cees Draijer, Albert Theuwissen, Technical Challenges and Recent Progress in CCD Imagers, Nuclear Inst. And Methods in Physics Research A, Sept. 2 006, pp. 148-156.
. Stephen E. Holland, William F. Kolbe, and Christopher J. Bebek, Device design for a 12.3 Mpixel, Fully Depleted, Back-Illuminated, High-Voltage Compatible Charge-Coupled Device, IEEE Trans. Elec. Dev. 56, 2612-2622 (2009)
. Janesik J. R. Sientific charge-coupled devices. SPIE press. Bellingham, WA, 2001. 908 p.
6. TMV Bootsma lt; # justify gt; 19Emi Miyata et al. Direct X-Ray Imaging of ?m Precision Using Back-Illuminated Charge-Coupled Device .2002 Jpn. J. Appl. Phys. 41 L500
Ландсберг Г.С. Оптика, 6-е видання, Фізматліт 2004
Додаток А
x location=0.0 spacing=0.01 tag=SiTopx location=50.0 spacing=0.01 tag=SiBottomsilicon xlo=SiTop xhi=SiBottomconcentration=1.2e14 field=Boron wafer.orient=100min.normal.size=0.01 max.lateral.size=0.05 normal.growth.ratio=1.4
# (No4 Oxidation 0,0425 mkm) _flow name=O2_H2 flowO2=0.7 flowH2=0.3_ramp name=n4 temperature=850 lt; C gt; time=40 lt; min gt; N2_ramp name=n4 temperature=850 lt; C gt; time=25 lt; min gt; N2 trate=4 lt; C/min gt; _ramp name=n4 temperature=950 lt; C gt; time=16 lt; min gt; N2_ramp name=n4 temperature=950 lt; C gt; time=10 lt; min gt; O2_ramp name=n4 temperature=950 lt; C gt; time=10 lt; min gt; gas.flow=O2_H2_ramp name=n4 temperature=950 lt; C gt; time=15 lt; min gt; N2_ramp name=n4 temperature=950 lt; C gt; time=35 lt; min gt; N2 trate=- 4.286 lt; C/min gt; _ramp name=n4 temperature=800 lt; C gt; time=25 lt; min gt; N2 last
# (No 5 DEPOSIT NITRIDE 110 nm) nitride thickness=0.11 type=isotropic
# (No10 OXIDATION 250 nm) _ramp name=n10 temperature=850 lt; C gt; time=40 lt; min gt; N2_ramp name=n10 temperature=850 lt; C gt; time=35 lt; min gt; N2 trate=4.286 lt; C/min gt; _ramp name=n10 temperature=1000 lt; C gt; time=70 lt; min gt; N2_ramp name=n10 temperature=1000 lt; C gt; time=50 lt; min gt; N2 trate=- 4 lt; C/min gt; _ramp name=n10 temperature=800 lt; C gt; time=25 lt; min gt; N2 lasttemp.ramp=n10
# (No11 + 12 NITRIDE AND OXIDE REMOVE) nitride thickness=0.11 rate={1} etchstop.overetch=0.01oxide thickness=0.0425 rate={1} etchstop.overetch=0.01
# (No13 OXIDATION 42.5 nm) temp.ramp=n4
# (No14 DEPOSIT NITRIDE 110 nm) nitride thickness=0.11 type=isotropic
# (No 21 LOCAL OXIDATION) _ramp name=n21 temperature=850 lt; C gt; time=40 lt; min gt; N2_ramp name=n21 temperature=850 lt; C gt; time=50 lt; min gt; N2 trate=2 lt; C/min gt; _ramp name=n21 temperature=950 lt; C gt; time=16 lt; min gt; N2_ramp name=n21 temperature=950 lt; C gt; time=10 lt; min gt; N2_ramp name=n21 temperature=950 lt; C gt; time=400 lt; min gt; N2_ramp name=n21 temperature=950 lt; C gt; time=15 lt; min gt; N2_ramp name=n21 temperature=950 lt; C gt; time=50 lt; min gt; N2 trate=- 2 lt; C/min gt; _ramp name=n21 temperature=850 lt; C gt; time=25 lt; min gt; N2 lasttemp.ramp=n21
# (No22 MASK for STOP KANAL)
# Etch (material=Nitride, remove=115nm, rate (a1=1000), over=1)
# (No 27 OXIDE REMOVING ALL - 250 nm) oxide thickness=0.255 rate={1} etchstop.overetch=0.01
# (No 28 LOCAL OXIDATION) _ramp name=n28 temperature=850 lt; C gt; time=40 lt; min gt; N2_ramp name=n28 temperature=850 lt; C gt; time=35 lt; min gt; N2 trate=4.286 lt; C/min gt; _ramp name=n28 temperature=1000 lt; C gt; time=16 lt; min gt; N2_ramp name=n28 temperature=1000 lt; C gt; time=10 lt; min gt; O2_ramp name=n28 temperature=1000 lt; C gt; time=55 lt; min gt; H2O_ramp name=n28 temperature=1000 lt; C gt...
