му приладі ставлення струмів В«пік-долинаВ» дорівнює 30 при кімнатній температурі і досягає 63 при 77 К (рис. III.5).
В
Рис. III.4. а) Схематичне поперечний переріз структури з псевдоморфное In-GaAs/AlAs/InAs резонансним тунельним діодом, вирощеним на підкладці з InP; Т = 77 К б) залежність енергії електрона від його положення вздовж напрямку, перпендикулярного верствам структури, наведеної в а; Т = 300 К
В
Рис. III.5. Вольт-амперні характеристики псевдоморфного In-GaAs/AlAs/InAs резонансного тунельного діода 30 х 30 (мкм) 2 , показаного на рис. III.4, виміряні при а) 77 К і б) 300 КЗАДАЧА. Прямокутна потенційна яма
Знайти пов'язані рішення і відповідні їм власні значення у разі прямокутної ями
U, ? x ? < span align = "justify">
, ? x ? > a.
Рішення. Розглянемо випадок негативних енергій, відповідних пов'язаним станам. Потенціал інваріантний по відношенню до інверсії V (x) = V (-x), так що рішення зобов'язані бути або парними, або непарними. Поклавши
В
можна записати ці рішення в наступному вигляді:
парні
+ cos kx, 0? x? a,
u + (x) = + cos kae ?? (a- ?? ) , x> a
u + (- x) = u + (x),
В
непарні
- sin kx, 0? x? a, - (x) = - sin kae ?? (a- ?? ) , x> a
u - (- x) = - u - (x),
В
Вище амплітуди всередині і поза потенційної я...
