структурованих рентгенівського поглинання (міжнародний Термін-X-ray Absorption Near Edge Structure, XANES). Незважаючі на унікальність ІНФОРМАЦІЇ, яка отримується з пріпорогової структурованих спектрів поглинання, широкий! Застосування методу XANES дотепер стрімувалося великою складністю Опису фізічніх процесів [22], что призводять до Формування цієї структури, и високих вимог, пропонованіх до роздільної здатності експериментального устаткування. Для реєстрації рентгенівськіх спектрів поглинання вікорістовується комплекс апаратури, близьким до застосовуваного в Exafs-спектроскопії (дів. рис. 2 в). Проте до роздільної здатності експериментальних установок, вікорістовуваніх для одержании спектрів XANES, пред'являються однозначно більш Високі вимоги, чем при віконанні Exafs-ДОСЛІДЖЕНЬ. Це пов'язане з тим, что ВАЖЛИВО структурна інформація может буті отримай з незначної Зміни енергетичного положення ( Е <0.2 еВ), відносної інтенсівності або розщеплення піків XANES, Які мают однозначно Меншем, в порівнянні Із протяжно деталями Exafs-спектрів, ширину.
Незважаючі на труднощі інтерпретації, тонка пріпорогова структура спектрів поглинання XANES є Дуже чутлівою як до електронного стану поглінаючого атома, так и до его локального оточення. Тому всі больше число дослідніків почінають застосовуваті метод XANES для одержании даніх про Електрон ї крісталічну Будовий Речовини. p align="justify"> Успіхі, досягнуті за помощью Exafs-спектроскопії, дуже вплінулі на Розвиток Теорії XANES. Однак Дослідження показують, что Інтерпретація области рентгенівського поглинання, блізької до краю, Неможливо на Основі набліження одноразового розсіювання, вікорістовуваного в области EXAFS (рис. 2). Було показано, что в блізькій до краю поглинання области спектра (область XANES на рис. 2) фотоелектрон, что вілітає з атома, что поглінув квант рентгенівського віпромінювання, может багаторазове відбітіся від навколішніх атомів. Пояснення процесів одноразового ї багаторазове розсіювання фотоелектрона дається на рис. 2, в. Фотоелектрон, что вілітає з поглінаючого атома А, може, одноразово розсіявшісь на атомах оточення У або С, вернуться до атома А (Exafs -режим) або віпробуваті багаторазове розсіювання (зокрема, на малюнку показань дворазове розсіювання на послідовності атомів В - С) i повернути на атом А (режим XANES).
В
Рис. 2. Зіставлення двох областей рентгенівського поглинання: близьким тонка структура (XANES) i далека тонка структура (EXAFS): а - повний спектр поглинання; б - Якісна залежність середньої довжини вільного пробігу фотоелектрона від его ЕНЕРГІЇ у твердому тілі; в - два режими розсіювання фотоелектрона: одне-і багаторазов...
