і конуса («центри») таким чином, щоб їх вісь збігалася з поздовжньою віссю монокристала.
Після калібрування на поверхні монокристала утворюється порушений шар глибиною 50.250 мкм в залежності від швидкості поздовжньої подачі. Присутність його на периферії підкладок може викликати появу сколів, а при подальшій високотемпературній обробці призводити до генерації структурних дефектів, що поширюються в центральні області підкладки. Для зняття порушеного шару минулі операції калібрування монокристали напівпровідників піддають операції хімічного травлення.
2.2 Орієнтація
У процесі росту монокристалів спостерігається невідповідність осі злитка кристаллографической осі. Для отримання пластин, орієнтованих в заданій площині, до різання виробляють орієнтацію зливків. Способи орієнтації кристалів визначаються їх природою, типом деталі і її функціональним призначенням. Оптично ізотропні діелектрики орієнтують для врахування впливу технологічних властивостей кристала на точність параметрів деталі. У анізотропних діелектриків положення заломлюючих і відображають поверхонь деталі залежить від необхідного перетворення світлового потоку. Орієнтація напівпровідників передбачає визначення кристалографічної площині, в якій матеріал має задані електричні властивості. Орієнтацію напівпровідників проводять рентгенівськими або оптичними методами.
Рентгенівський метод заснований на відображенні рентгенівських променів від поверхні напівпровідникового матеріалу. Інтенсивність відображення залежить від щільності упаковки атомами даній площині. Кристалографічної площині, більш щільно упакованої атомами, відповідає більша інтенсивність відбиття променів. Кристалографічні площині напівпровідникових матеріалів характеризуються певними кутами відображення падаючих на них рентгенівських променів. Величини цих кутів для кремнію: (111) - 17 ° 56 «, (110) - 30 ° 12», (100) - 44 ° 23 '
Рентгенівський діафрактометріческій метод заснований на вимірюванні кута відбиття характеристичного рентгенівського випромінювання від ідентифікованої площині. Для цього застосовують рентгенівські дифрактометри загального призначення, наприклад типу ДРОН - 1,5, або рентгенівські установки, наприклад типу УРС - 50И (М), та інші, забезпечені рентгенівськими гоніометрами і пристроями, що забезпечують обертання горизонтально наявного монокристала навколо осі із заданою швидкістю.
При проведенні вимірювання падаючий на торцевий зріз монокристала рентгенівський промінь спрямовують під бреггівського кутом відбиття р. Лічильник рентгенівських квантів (Гейгера) розташовують під кутом 2р до падаючого променю. Якщо орієнтована площину, наприклад (111), складає деякий кут, а з торцевим зрізом монокристала, то відображення від неї можна отримати, повернувши монокристал на цей же кут.
Визначення кута відбиття проводять щодо двох взаємно перпендикулярних осей, одна з яких лежить в площині креслення (рисунок 3)
Рисунок 3 - Схема орієнтації монокристалів напівпровідників рентгенівським методом: 1-падаючий рентгенівський промінь; 2 - монокристал; 3 - відбитий рентгенівський промінь: 4 - лічильник Гейгера
Оптичний метод заснований на тому, що на протравленою в селективнихтравників поверхні напівпровідника, виникають ...
