< i align = "justify"> l 1 , мм b 1 , ммРасчетн.251.2120.048201.4130.071201.2120.06121.4130.707Окончательное значение255.000.200204.0000.200204.0000.20021.4500.725 Визначимо площу, займану резисторами.
S R = S R1 + S R2 + S R3 + S R4 = 1 +0, 8 +0,8 +1,05 = 3,65 мм 2
Навісні елементи із зазначенням їх розмірів наведені на малюнку 4.
Площа, яку займає навісними елементами, дорівнює
S = S VT1 + S VT2 + S VT3 + S < i align = "justify"> VT4 = 2,25 +2,25 +1 +1 = 6,5 мм 2 .
Загальна площа, займана плівковими резисторами і навісними елементами, дорівнює 10,15 мм 2 . Враховуючи площа сполук, проміжки між елементами ІМС і відстань від краю підкладки, слід збільшити сумарну площу підкладки в 4-5 разів, тобто площа повинна скласти не менше 50 мм 2 . З таблиці 5 вибираємо підкладку з розмірами 12х10 мм.
Таблиця 5 - Рекомендовані розміри підкладок для гібридних ІМС
Довжина, мм3030302420161210Шіріна, мм2416122016101010
Складаємо топологічний креслення ІМС, розміщуючи розраховані елементи на полі підкладки (малюнок 5).
В
Висновок
Отже, ні тонко-, ні товстоплівкова технологія не забезпечують виконання всіх вимог схемотехніки, так як вони забезпечують виготовлення тільки пасивних елементів і провідників без активних елементів. У напівпровідникових ІМ пасивні елементи виникають як побічний продукт, їх характеристики гірше, ніж у дискретних елементів. Обмежені лінійність, температурна стабільність і великий допуск на значення номіналів резисторів і конденсаторів обмежують застосування напівпровідникових ІМ, однак, окремі властивість тонко-і товстоплівкових мікросхем добре доповнюють один одного; комбінація їх забезпечує створення високоякісних мікросхем, при описі гибридно-плівкових інтегральних мікросхем, які реалізуються при монтажі дискретних безкорпусних елементів або напівпровідникових ...
